Samsung рассматривает возможность достижения более чем 1000-слойной памяти NAND с использованием нового материала Hafnia Ferroelectrics. Это позволило бы компании реализовать свою цель по созданию петабайтных твердотельных накопителей. Недавние исследования в этой области представляют новое решение, которое может помочь Samsung и другим компаниям в достижении этой амбициозной цели.
Samsung уже работает над выпуском флэш-памяти нового поколения, такой как V-NAND 9-го и 10-го поколений с 290 и 430 слоями соответственно. Однако использование сегнетоэлектрических материалов, таких как Hafnia Ferroelectrics, может открыть новые возможности для создания более компактных и эффективных устройств памяти.
Исследователи утверждают, что Hafnia Ferroelectrics могут играть ключевую роль в расширении технологии 3D VNAND. Это может привести к преодолению существующих ограничений. Хотя сам Samsung не участвует напрямую в исследованиях, но заинтересованные стороны связаны с компанией, что говорит о значительном интересе к этой технологии.
Вполне возможно, что использование Hafnia Ferroelectrics приведет к созданию петабайтных запоминающих устройств. Что станет важным достижением в области технологии памяти.
