Ученым из Южной Кореи удалось совместить то, что до сих пор считалось несовместимым — скорость оперативной памяти с энергонезависимостью флэш-памяти.
Об этом сообщает ТОнеТО.
Гибридная разработка корейцев обещает стать настоящей революцией в компьютерных технологиях, которая значительно удешевит изготовление и сократит энергопотребление приборов.
Сообщение о новой разработке было опубликовано в одном из апрельских выпусков журнала Nature. В нем, в частности, говорится, что корейские ученые создали гибридную память, которой присуща скорость действия как у DRAM (оперативной памяти), и которая одновременно энергонезависимая как NAND (флэш-память). Разработчики утверждают, что созданная ими память потребляет в 15 раз меньше энергии, чем существующие аналоги. Кроме того, она значительно дешевле в изготовлении.
Речь идет о памяти с фазовым переходом PCM (phase-change memory). Ячейки такой памяти могут находиться в двух состояниях: аморфном и кристаллическом.
В первом случае в ячейке отсутствует какое-либо движение электронов. Во втором — вещество в ячейке имеет определенную структуру и может проводить ток. Перевести вещество из одного агрегатного состояния в другое можно путем его локального нагрева. На первый взгляд такая технология плохо сочетается с понятием энергоэффективности. Но это лишь на первый взгляд, ведь в данном случае размер имеет немалое значение. Дело в том, что в корейской разработке ячейка памяти очень маленькая, и соответственно для ее нагрева требуется значительно меньше энергии.
Определенный аналог такой памяти PCM есть у компании Intel. Речь идет о памяти 3D XPoint (Optane). Однако компания Intel отказалась от этой разработки из-за ее слишком затратного производства и плохого масштабирования.
Корейские ученые с Факультета электротехники университета KAIST достигли на этом пути значительно больших успехов. Они разработали такой процесс, в ходе которого PCM-переход достигается электрическим методом. Такое производство не требует слишком дорогих техпроцессов изготовления. И самое главное: корейцам удалось снизить размеры перехода до 5 нм. Для сравнения: за более чем два десятилетия работы с РСМ инженеры смогли создать только ячейки с размером 40 нм.
Совершенно очевидно, что ячейке размером в 5 нм нужно значительно меньше энергии, чем ячейке в 40 нм. Это подтвердили и испытания ноу-хау корейских ученых. Их детище требует в 15 раз меньше энергии, чем его аналоги.
«Мы ожидаем, что результаты нашего исследования станут основой электронной инженерии будущего, позволяя реализовывать различные продукты, включая трехмерную вертикальную память высокой плотности и нейроморфные вычислительные системы, поскольку оно открыло возможности выбора из множества материалов«, — заявили корейские разработчики.
