Гибкая терагерцевая электроника

Новая полупроводниковая технология призвана упростить разработку терагерцевых транзисторов, а также гибких схем для малоиспользуемого на сегодняшний день частотного диапазона от 0,1 до 1 ТГц. Недавно ученым из Берлинского института высокочастотной техники Фердинанда Брауна с помощью разработанного ими процесса переноса подложки впервые удалось изготовить гибкие высокочастотные ком-
поненты с пороговыми частотами, значительно превышающими 200 ГГц (0,2 ТГц).

Вначале слой фосфида индия (1пР)/арсенида индия галлия (InGaAs) толщиной менее 10 нм наносится на подложку с помощью эпитаксиального наращивания. Затем слои структурируются с помощью процессов травления и металлизации. Далее передняя сторона подложки сцепляется с керамическим носителем на осно-
ве нитрида алюминия, подложка удаляется, а обратная сторона слоев обрабатывается в промышленной установке литографии. Благодаря точному двустороннему литографическому структурированию становится возможным создание компактных и быстрых гете-робиполярных транзисторов. Разработка процесса переноса подложки является первым шагом к созданию трехмерных интегральных схем.


http://blog.wel.org.ua

работаю админом, прогером сеошнегом :)

Leave a Comment

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Загрузка...
Menu Title